SK Hynix jest jednym z dostawców pamięci masowych do urządzeń mobilnych Apple i zaprezentowało właśnie 72-warstwową pamięć 3D NAND o pojemności 256GB.
Zwiększenie warstw z 48 do 72 oznacza, że pojedynczy klastr ma 32 GB pamięci, która jest dwukrotnie szybsza od stosowanej obecnie, a prędkość zapisu/odczytu jest 20% wyższa od poprzedniego typu.
Dostawca od zeszłego roku (Listopada) produkował 48 – warstwowe pamięci 3D NAND, a od kwietnia mieli w swojej ofercie 32 – warstwowe pamięci.
Pamięci masowe w iPhone’ach 7 pochodzą od Toshiby i SK Hynix, a niektóre iPhone’7 korzystają z nieodstępnych w sprzedaży pamięci 3D NAND BiCS (48 warstw). Większość egzemplarzy siódemek korzysta jednak z pamięci SK Hynix.
Chwilę po wprowadzeniu do sprzedaży iPhone’a 7/7 Plus wyszło na jaw, że 32 GB warianty pamięciowe mają niskie prędkości odczytu i zapisu danych w porównaniu do modeli ze 128GB. Największa różnica jest widoczna podczas zapisu, w przypadku 32 GB prędkość wynosi 42 MB/s, a prędkość dla 128GB wynosi 342 MB/s.
Wszystko za sprawą pamięci NAND BiCS dostarczonej przez Toshibę. W praktyce oznacza to, że prędkość zapisu wyniesie więcej w porównaniu do pamięci NAND 2D. Pamięci wewnętrzne SK Hynix i Toshiba są produkowane w 15nm procesie litograficznym.
Warto nadmienić, że SK Hynix bierze udział w licytacji działu pamięci wewnętrznych Toshiby.
